Número de peça | SI4923DY-T1-E3 | Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descripció | MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC | Estat lliure de plom / Estat RoHS | Sin plomo / RoHS Cumple con |
Quantitat disponible | 4655 pcs stock | Fitxa de dades | SI4923DY-T1-E3.pdf |
Vgs (po) (máximo) @ Id | 3V @ 250µA | Paquete de dispositivos de provedores | 8-SO |
Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8.3A, 10V |
Poder - Máx | 1.1W | Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Paquete / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Surface Mount | Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado libre de chumbo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carga de portas (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V | Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Función FET | Logic Level Gate | Drenaxe á tensión de orixe (Vdss) | 30V |
Descrición detallada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6.2A 1.1W Surface Mount 8-SO | Corrente - Drenaxe continua (Id) @ 25 ° C | 6.2A |
FEDEX | www.FedEx.com | Des de 35,00 $ la tarifa d’enviament bàsica depèn de la zona i el país. |
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DHL | www.DHL.com | Des de 35,00 $ la tarifa d’enviament bàsica depèn de la zona i el país. |
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